BQ25616JRTWR Neien&Original TI IC Chip gudde Präis Elektronik Komponent Op Lager

kuerz Beschreiwung:

D'Léisung ass héich integréiert mat Input Reverse-blocking FET (RBFET, Q1), High-Side Switching FET (HSFET, Q2), Low-Side Switching FET (LSFET, Q3), a Batterie FET (BATFET, Q4) tëscht System an Batterie.Et integréiert och d'Bootstrap Diode fir den High-Side Gate Drive fir vereinfacht Systemdesign.D'Hardware-Astellung an de Statusbericht liwweren einfach Konfiguratioun fir d'Ladeléisung opzestellen.

Schéckt E-Mail un eis Luet den Datesheet erof

Produit Detailer

Produit Tags

Produit Attributer

TYPE	BESCHREIWUNG
Kategorie	Integréiert Circuits (ICs) PMIC - Batterie Opluedapparater
Mfr	Texas Instrumenter
Serie	-
Package	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
SPQ	250 \|T&R
Deel Status	Aktiv
Batterie Chemie	Lithium Ion / Polymer
Zuel vun Zellen	1
Aktuell - Opluedstatiounen	Konstant - Programméierbar
Programméierbar Features	Aktuell
Feeler Schutz	Iwwerstroum, Iwwerspannung
Ladestroum - Max	3A
Batterie Pack Volt	4,35 V
Spannung - Versuergung (Max)	13,5 V
Interface	USB
Operatioun Temperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Montéierung Typ	Surface Mount
Package / Fall	24-WFQFN ausgesat Pad
Fournisseur Apparat Package	24-WQFN (4x4)
Basis Produit Zuel	BQ25616

Produit Aféierung

E Batterieladeger Chip ass en Chip deen eng breet Palette vu Batterien laden a kontrolléiere kann, vun enger eenzeger Lithium Batterie, enger eenzeger Lithium Eisenphosphat Batterie oder zwee bis véier NiMH Batterien.

Produit Fonctiounen

● Batterie kann duerch USB Interface oder AC Adapter gelueden ginn
● On-Chip Muecht Transistoren
● Konstant Stroum Opluedstatioun Spannungsgenauegkeet vun 1%
● Intern 8-Bit Analog-zu-Digital Konversiounsschaltung kann den Opluedstroum automatesch upassen no der aktueller Ausgangsfäegkeet vun der Input Spannungsquell
● Batterie kann aus Spannungsquellen mat limitéierter Stroumausgangskapazitéit wéi Solarpanneauen gelueden ginn
●Niddereg aktuell Pre-Lade Modus wann d'Batterie Volt niddereg ass
● Benotzer astellbar kontinuéierlech Ladestroum bis 600ma
● Konstant Stroum / konstant Temperatur Modus Opluedstatioun fir de Ladestroum ze maximéieren an d'Iwwerhëtzung vum Chip ze vermeiden
●Low-Power Schlofmodus wann d'Energieversuergungsspannung fällt
●Statusindikatiounsausgang kann duerch gefouert ginn oder mat engem Mikrokontroller verbonne ginn
● Automatesch nei Opluedstatiounen
● Batterie Temperatur Iwwerwachung Funktioun
● Bleifräi Produkt

Produit Virdeeler

- thermesch Gestioun an Iwwerspannungsschutz
Thermesch Gestioun ass eng aner grouss Erausfuerderung fir Batterieladeger Designer.All Ladegeräter Chip erlieft e Spannungsfall wärend dem Opluedprozess wéinst Wärmevergëftung.Fir Batterieschued oder Systemausschaltung ze vermeiden, integréieren déi meescht Ladegeräter eng Form vu Kontrollmechanismus fir d'Hëtztopbau ze managen.Méi nei Geräter benotze méi sophistikéiert Feedbacktechniken fir kontinuéierlech d'Temperatur vun der Stierf ze iwwerwaachen an de Ladestroum dynamesch oder duerch Berechnung mat engem Taux proportional zu der Ännerung vun der Ëmfeldtemperatur unzepassen.Dës agebauter Intelligenz erlaabt den aktuellen Ladegeräter de Ladestroum graduell ze reduzéieren bis den thermesche Gläichgewiicht erreecht gëtt an d'Temperatur ophält erop.Dës Technologie erlaabt dem Ladegeräter d'Batterie kontinuéierlech op de maximal méigleche Stroum ze laden ouni datt de System ofgeschalt gëtt, sou datt d'Batterie Opluedzäit reduzéiert gëtt.Déi meescht méi nei Geräter haut ginn och typesch en Iwwerspannungsschutzmechanismus derbäi.
De Ladegeräter BQ25616JRTWR bitt verschidde Sécherheetsfeatures fir Batterie Opluedstatioun a System Operatiounen, dorënner Batterie negativ Temperatur Koeffizient Thermistor Iwwerwachung, Laden Sécherheet Timer an Iwwerspannung an Iwwerstroum Schutz.Thermesch Regulatioun reduzéiert d'Ladestroum wann d'Kräiztemperatur méi wéi 110 °C ass.De STAT Output bericht den Opluedstatus an all Feelerbedéngungen.

Applikatioun Szenarie

D'Batterie Chargeur Chip gehéiert zu enger Zort Muecht Gestioun Chip, der Applikatioun Gamme ass ganz breet.D'Entwécklung vu Power Management Chips ass wichteg fir d'Performance vun der ganzer Maschinn ze verbesseren, d'Wiel vu Power Management Chips ass direkt mat de Bedierfnesser vum System verbonnen, während d'Entwécklung vun digitale Power Management Chips nach ëmmer d'Käschtebarriär muss iwwerschreiden.
De BQ25616 / 616J ass en héich integréiert 3-A Switch-Modus Batterie Chargemanagement a System Power Path Management Apparat fir eenzel Zell Li-Ion a Li-Polymer Batterien.D'Léisung ass héich integréiert mat Input Reverse-blocking FET (RBFET, Q1), High-Side Switching FET (HSFET, Q2), Low-Side Switching FET (LSFET, Q3), a Batterie FET (BATFET, Q4) tëscht System an Batterie.Den nidderegen Impedanzkraaftwee optiméiert d'Effizienz vun der Schaltmodus Operatioun, reduzéiert d'Batterie Opluedzäit a verlängert d'Batteriedauer während der Entladungsphase.
De BQ25616 / 616J ass en héich integréierten 3-A Switch-Modus Batterie Chargemanagement a System Power Path Management Apparat fir Li-Ion a Li-Polymer Batterien.Et huet séier Laden mat héijer Input Volt Ënnerstëtzung fir eng breet Palette vun Uwendungen, dorënner Spriecher, industriell a medizinesch portable Geräter.Seng niddereg Impedanz Muecht Wee optimiséiert Schalter-Modus Operatioun Effizienz, reduzéiert Batterie Opluedzäit, a verlängert Batterie Laf Zäit während Entladung Phase.Seng Input Spannung an aktuell Regulatioun liwweren maximal Ladekraaft un d'Batterie.
D'Léisung ass héich integréiert mat Input Reverse-blocking FET (RBFET, Q1), High-Side Switching FET (HSFET, Q2), Low-Side Switching FET (LSFET, Q3), a Batterie FET (BATFET, Q4) tëscht System an Batterie.Et integréiert och d'Bootstrap Diode fir den High-Side Gate Drive fir vereinfacht Systemdesign.D'Hardware-Astellung an de Statusbericht liwweren einfach Konfiguratioun fir d'Ladeléisung opzestellen.

virdrun: Spezifikatioune vun IC LM25118Q1MH/NOPB

Nächste: Op Lager waarm verkafen BQ25896RTWR Batterieladeger Original IC Chip Circuits Elektronik Komponenten

Schreift äre Message hei a schéckt en un eis