IPD068P03L3G nei originell Elektronesch Komponenten IC Chip MCU BOM Service op Lager IPD068P03L3G

kuerz Beschreiwung:

Schéckt E-Mail un eis Luet den Datesheet erof

Produit Detailer

Produit Tags

Produit Attributer

TYPE	BESCHREIWUNG
Kategorie	Diskret Semiconductor Produkter Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produit Status	Aktiv
FET Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Aktuell - kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On)	4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6,8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (Max)	± 20V
Input Kapazitéit (Ciss) (Max) @ Vds	7720 pF @ 15 V
FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	100 W (Tc)
Operatioun Temperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montéierung Typ	Surface Mount
Fournisseur Apparat Package	PG-TO252-3
Package / Fall	TO-252-3, DPak (2 Virsprong + Tab), SC-63
Basis Produit Zuel	IPD068

Dokumenter & Medien

RESOURCE TYPE	LINK
Datenblätter	IPD068P03L3 Ubidder
Aner Zesummenhang Dokumenter	Part Number Guide
Ausgezeechent Produkt	Daten Veraarbechtung Systemer
HTML Datasheet	IPD068P03L3 Ubidder
EDA Modeller	IPD068P03L3GATMA1 vun Ultra Librarian

Ëmwelt- & Export Klassifikatiounen

ATRIBUTE	BESCHREIWUNG
RoHS Status	ROHS3 konform
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Onlimitéiert)
REACH Status	REACH Onbeaflosst
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Zousätzlech Ressourcen

ATRIBUTE

BESCHREIWUNG

Aner Nimm

Spezifikatioune vun IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND Ubidder

SP001127838

Spezifikatioune vun IPD068P03L3GATMA1CT

Spezifikatioune vun IPD068P03L3GATMA1TR

Standard Package

2.500

Transistor

En Transistor ass engsemiconductor Apparatgewinntverstäerkenoderschaltelektresch Signaler anMuecht.Den Transistor ass ee vun de Basisbausteng vum modernenelektronesch.[1]Et besteet aussemiconductor Material, normalerweis mat op d'mannst dräiTerminalsfir Verbindung zu engem elektronesche Circuit.AStroumspannungoderaktuellop ee Pair vun den Terminals vum Transistor applizéiert kontrolléiert de Stroum duerch en anert Pair vun Klemmen.Well déi kontrolléiert (Output) Kraaft méi héich ka sinn wéi déi kontrolléiert (Input) Kraaft, kann en Transistor e Signal verstäerken.E puer Transistoren sinn individuell verpackt, awer vill méi ginn agebaut fonntintegréiert Kreesleef.

Éisträichesch-Ungaresch Physiker Julius Edgar Lilienfeldproposéiert d'Konzept vun engemFeld-Effekt Transistoran 1926, mee et war net méiglech eng Aarbecht Apparat zu där Zäit eigentlech ze bauen.[2]Déi éischt schaffen Apparat ze gebaut gouf engPunkt-Kontakt Transistor1947 vun amerikanesche Physiker erfonntJohn BardeenanWalter Brattainiwwerdeems schaffen ënnerWilliam ShockleyopBell Labs.Déi dräi hunn den 1956 gedeeltNobelpräis an der Physikfir hir Erreeche.[3]Déi meescht benotzt Zort Transistor ass denMetall-Oxid-Halbleiter Feldeffekt Transistor(MOSFET), déi vun erfonnt goufMohamed AtallaanDawon Kahngam Bell Labs am Joer 1959.[4][5][6]Transistoren revolutionéiert d'Beräich vun der Elektronik, an hunn de Wee fir méi kleng a méi bëlleg gemaachRadioen,Rechner,an anComputeren, ënner anerem.

Déi meescht Transistoren ginn aus ganz purem gemaachSilizium, an e puer vungermanium, awer verschidde aner Hallefleitmaterialien ginn heiansdo benotzt.En Transistor kann nëmmen eng Zort Charge Carrier hunn, an engem Feldeffekt Transistor, oder kann zwou Aarte vu Charge Carrier hunn.bipolare Kräizung TransistorApparater.Am Verglach mat derVakuum Rouer, Transistoren sinn allgemeng méi kleng a brauche manner Kraaft fir ze bedreiwen.Verschidde Vakuumröhre hunn Virdeeler iwwer Transistoren bei ganz héije Betribsfrequenzen oder héije Betribsspannungen.Vill Aarte vu Transistoren ginn op standardiséierte Spezifikatioune vu multiple Hiersteller gemaach.

virdrun: IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Neien Elektronesche Komponent

Nächste: AQX IRF7416TRPBF Neien an originelle integréierte Circuit IC Chip IRF7416TRPBF

Schreift äre Message hei a schéckt en un eis