IPD135N08N3G Brand New Integréiert Circuit
Produit Attributer
| TYPE | BESCHREIWUNG |
| Kategorie | Diskret Semiconductor Produkter |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Produit Status | Verouderd |
| FET Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 v |
| Aktuell - kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
| Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13,5 mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Input Kapazitéit (Ciss) (Max) @ Vds | 1730 pF @ 40 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Operatioun Temperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montéierung Typ | Surface Mount |
| Fournisseur Apparat Package | PG-TO252-3 |
| Package / Fall | TO-252-3, DPak (2 Virsprong + Tab), SC-63 |
| Basis Produit Zuel | IPD135N |
Dokumenter & Medien
| RESOURCE TYPE | LINK |
| Datenblätter | IPD135N08N3G Fotoen |
| Aner Zesummenhang Dokumenter | Part Number Guide |
| Ausgezeechent Produkt | Daten Veraarbechtung Systemer |
| HTML Datasheet | IPD135N08N3G Fotoen |
Ëmwelt- & Export Klassifikatiounen
| ATRIBUTE | BESCHREIWUNG |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Onlimitéiert) |
| REACH Status | REACH Onbeaflosst |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Zousätzlech Ressourcen
| ATRIBUTE | BESCHREIWUNG |
| Aner Nimm | SP000454266 Spezifikatioune vun IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3G Fotoen IPD135N08N3 G-ND Ubidder |
| Standard Package | 2.500 |
En Transistor ass en Hallefleitgerät deen allgemeng a Verstärker oder elektronesch kontrolléiert Schalter benotzt gëtt.Transistoren sinn d'Basis Bausteng déi d'Operatioun vu Computeren, Handyen an all aner modern elektronesch Circuiten reguléieren.
Duerch hir séier Äntwertgeschwindegkeet an héich Genauegkeet kënne Transistoren fir eng grouss Varietéit vun digitalen an analoge Funktiounen benotzt ginn, dorënner Verstäerkung, Schalter, Spannungsregulator, Signalmodulatioun an Oszillator.Transistoren kënnen individuell oder an engem ganz klenge Gebitt verpackt ginn, deen 100 Milliounen oder méi Transistoren als Deel vun engem integréierte Circuit kann halen.
Am Verglach mam Elektronenröhr huet den Transistor vill Virdeeler:
Komponent huet kee Konsum
Egal wéi gutt de Rouer ass, wäert et lues a lues verschlechtert ginn wéinst Verännerungen an Kathodeatomen a chronescher Loftleckage.Aus technesche Grënn haten d'Transistoren dee selwechte Problem wéi se fir d'éischt gemaach goufen.Mat Fortschrëtter a Materialien a Verbesserungen a villen Aspekter daueren Transistoren typesch 100 bis 1.000 Mol méi laang wéi elektronesch Röhre.
Konsuméiere ganz wéineg Kraaft
Et ass nëmmen een Zéngtel oder Zénger vun engem vun den Elektronenröhren.Et brauch net de Filament z'erhëtzen fir fräi Elektronen ze produzéieren wéi den Elektronenröhr.En Transistor Radio brauch nëmmen e puer dréchen Batterien fir sechs Méint am Joer ze lauschteren, wat schwéier ass fir Tube Radio ze maachen.
Net néideg ze virhëtzen
Schafft soubal Dir et ausschalt.Zum Beispill, en Transistor Radio geet aus soubal et ageschalt ass, an en Transistor Fernseh stellt e Bild op soubal et ageschalt ass.Vakuum Tube Ausrüstung kann dat net maachen.Nom Stiwwel, waart eng Zäit fir den Toun ze héieren, kuckt d'Bild.Kloer, am Militär, Miessung, Opnam, etc., Transistoren si ganz avantagéis.
Staark an zouverlässeg
100 Mol méi zouverlässeg wéi den Elektronenröhr, Schockbeständegkeet, Schwéngungsresistenz, wat onvergläichbar mam Elektronenröhre ass.Zousätzlech ass d'Gréisst vum Transistor nëmmen een Zéngtel bis een Honnertstel vun der Gréisst vum Elektronenröhre, ganz wéineg Hëtztverëffentlechung, ka benotzt ginn fir kleng, komplex, zouverléisseg Circuiten ze designen.Och wann de Fabrikatiounsprozess vum Transistor präzis ass, ass de Prozess einfach, wat hëllefe fir d'Installatiounsdicht vun de Komponenten ze verbesseren.
