SN74CB3Q3245RGYR 100% Neien & Original DC Ze DC Konverter & Schaltregulator Chip
Produit Attributer
| TYPE | ILLUSTRÉIERT |
| Kategorie | Signalschalter, Multiplexer, Decoder |
| Fabrikant beschwéiert | Texas Instrumenter |
| Serie | 74 CB |
| ëmklammen | Tape and Rolling Packages (TR) Isoléierbandspaket (CT) Digi-Reel® |
| Produit Status | Aktiv |
| Typ | Bus schalt |
| Circuit | 8 x1:1 |
| Onofhängeg Circuit | 1 |
| Stroum - Ausgang héich, niddereg | - |
| Spannungsversuergungsquell | Single Muecht Fourniture |
| Spannung - Energieversuergung | 2.3V ~ 3.6V |
| Operatioun Temperatur | -40°C ~ 85°C |
| Installatioun Typ | Uewerfläch Klebstoff Typ |
| Package / Wunnengen | 20-VFQFN ausgesat Pad |
| Verkeefer Komponent encapsulation | 20-VQFN (3.5x4.5) |
| Produit Meeschtesch Zuel | Spezifikatioune vun 74CB3Q3245 |
Produit Aféierung
Den SN74CB3Q3245 ass e FET Bus Schalter mat héijer Bandbreedung, déi eng Ladepompel benotzt fir d'Gatespannung vum Passtransistor z'erhéijen, wat eng niddereg a flaach ON-State Resistenz (ron) ubitt.Déi niddreg a flaach ON-State Resistenz erlaabt eng minimal Ausbreedungsverzögerung an ënnerstëtzt Schinn-zu-Schinne-Schalten op den Dateinput / Output (I/O) Ports.Den Apparat huet och niddereg Daten I / O Kapazitéit fir d'kapazitiv Belaaschtung an d'Signalverzerrung op den Datebus ze minimiséieren.Speziell entworf fir High-Bandwidth Uwendungen z'ënnerstëtzen, bitt de SN74CB3Q3245 eng optimiséiert Interface-Léisung ideal fir Breetbandkommunikatioun, Vernetzung an Datenintensiv Rechensystemer.
Den SN74CB3Q3245 ass als 8-Bit Busschalter mat engem eenzegen Output-Enable (OE\) Input organiséiert.Wann OE \ niddereg ass, ass de Busschalter ON an den A Hafen ass mam B Hafen ugeschloss, wat bidirektional Datefloss tëscht Häfen erlaabt.Wann OE \ héich ass, ass de Busschalter OFF an en Héichimpedanzzoustand existéiert tëscht den A a B Ports.
Dësen Apparat ass voll spezifizéiert fir deelweis Power-Down Uwendungen déi Ioff benotzen.D'Ioff Circuit verhënnert schiedlechen aktuellen Réckflow duerch den Apparat wann et ausgeschalt ass.Den Apparat huet Isolatioun beim Ausschalten.
Fir den Héichimpedanzzoustand während der Kraaft erop oder Kraaft erof ze garantéieren, soll OE \ mat VCC duerch e Pullup-Widderstand gebonnen ginn;de Minimum Wäert vun der resistor ass vun der aktueller ënnerzegoen Fäegkeet vum Chauffer bestëmmt.
Produit Fonctiounen
- High-Bandwidth Data Path (bis zu 500 MHz↑)
- Äquivalent zu IDTQS3VH384 Apparat
- 5-V tolerant I / Os mat Apparat Powered-Up oder Powered-Down
- Niddereg a flaach ON-State Resistance (ron) Charakteristiken iwwer Operatiounsberäich (ron = 4Ω typesch)
- Rail-to-Rail Switching on Data I/O PortsBidirectional Data Flow, Mat Near-Zero Propagation DelayNiddereg Input/Output Kapazitéit miniméiert Lueden a Signalverzerrung (Cio(OFF) = 3,5 pF typesch)
- 0- bis 5-V Wiessel Mat 3,3-V VCC
- 0- bis 3,3-V Wiessel Mat 2,5-V VCC
- Schnellschaltfrequenz (fOE\ = 20 MHz Max)
- Donnéeën a Kontroll Input suergt Undershoot Clamp Diodes
- Niddereg Stroumverbrauch (ICC = 1 mA typesch)
- VCC Betribsberäich Vun 2,3 V bis 3,6 V
- Daten I/Os Ënnerstëtzung 0 bis 5-V Signalniveauen (0,8-V, 1,2-V, 1,5-V, 1,8-V, 2,5-V, 3,3-V, 5-V)
- Kontroll Input Kann duerch TTL oder 5-V / 3.3-V CMOS Output ugedriwwe ginn
- Ioff ënnerstëtzt Partiell-Power-Down Modus Operatioun
- Latch-Up Leeschtung iwwerschreift 100 mA pro JESD 78, Klass II
- ESD Performance getest Per JESD 22 Ënnerstëtzt Béid Digital an Analog Uwendungen: PCI Interface, Differential Signal Interface, Memory Interleaving, Bus Isolatioun, Low-Distortion Signal Gating
- 2000-V Mënsche-Kierper Modell (A114-B, Klass II)
- 1000-V Charged-Device Model (C101)
Produit Virdeeler
- thermesch Gestioun an Iwwerspannungsschutz
Thermesch Gestioun ass eng aner grouss Erausfuerderung fir Batterieladeger Designer.All Ladegeräter Chip erlieft e Spannungsfall wärend dem Opluedprozess wéinst Wärmevergëftung.Fir Batterieschued oder Systemausschaltung ze vermeiden, integréieren déi meescht Ladegeräter eng Form vu Kontrollmechanismus fir d'Hëtztopbau ze managen.Méi nei Geräter benotze méi sophistikéiert Feedbacktechniken fir kontinuéierlech d'Temperatur vun der Stierf ze iwwerwaachen an de Ladestroum dynamesch oder duerch Berechnung mat engem Taux proportional zu der Ännerung vun der Ëmfeldtemperatur unzepassen.Dës agebauter Intelligenz erlaabt den aktuellen Ladegeräter de Ladestroum graduell ze reduzéieren bis den thermesche Gläichgewiicht erreecht gëtt an d'Temperatur ophält erop.Dës Technologie erlaabt dem Ladegeräter d'Batterie kontinuéierlech op de maximal méigleche Stroum ze laden ouni datt de System ofgeschalt gëtt, sou datt d'Batterie Opluedzäit reduzéiert gëtt.Déi meescht méi nei Geräter haut ginn och typesch en Iwwerspannungsschutzmechanismus derbäi.
De Ladegeräter BQ25616JRTWR bitt verschidde Sécherheetsfeatures fir Batterie Opluedstatioun a System Operatiounen, dorënner Batterie negativ Temperatur Koeffizient Thermistor Iwwerwachung, Laden Sécherheet Timer an Iwwerspannung an Iwwerstroum Schutz.Thermesch Regulatioun reduzéiert d'Ladestroum wann d'Kräiztemperatur méi wéi 110 °C ass.De STAT Output bericht den Opluedstatus an all Feelerbedéngungen.
Applikatioun Szenarie
D'Batterie Chargeur Chip gehéiert zu enger Zort Muecht Gestioun Chip, der Applikatioun Gamme ass ganz breet.D'Entwécklung vu Power Management Chips ass wichteg fir d'Performance vun der ganzer Maschinn ze verbesseren, d'Wiel vu Power Management Chips ass direkt mat de Bedierfnesser vum System verbonnen, während d'Entwécklung vun digitale Power Management Chips nach ëmmer d'Käschtebarriär muss iwwerschreiden.
De BQ25616 / 616J ass en héich integréiert 3-A Switch-Modus Batterie Chargemanagement a System Power Path Management Apparat fir eenzel Zell Li-Ion a Li-Polymer Batterien.D'Léisung ass héich integréiert mat Input Reverse-blocking FET (RBFET, Q1), High-Side Switching FET (HSFET, Q2), Low-Side Switching FET (LSFET, Q3), a Batterie FET (BATFET, Q4) tëscht System an Batterie.Den nidderegen Impedanzkraaftwee optiméiert d'Effizienz vun der Schaltmodus Operatioun, reduzéiert d'Batterie Opluedzäit a verlängert d'Batteriedauer während der Entladungsphase.
De BQ25616 / 616J ass en héich integréierten 3-A Switch-Modus Batterie Chargemanagement a System Power Path Management Apparat fir Li-Ion a Li-Polymer Batterien.Et huet séier Laden mat héijer Input Volt Ënnerstëtzung fir eng breet Palette vun Uwendungen, dorënner Spriecher, industriell a medizinesch portable Geräter.Seng niddereg Impedanz Muecht Wee optimiséiert Schalter-Modus Operatioun Effizienz, reduzéiert Batterie Opluedzäit, a verlängert Batterie Laf Zäit während Entladung Phase.Seng Input Spannung an aktuell Regulatioun liwweren maximal Ladekraaft un d'Batterie.
D'Léisung ass héich integréiert mat Input Reverse-blocking FET (RBFET, Q1), High-Side Switching FET (HSFET, Q2), Low-Side Switching FET (LSFET, Q3), a Batterie FET (BATFET, Q4) tëscht System an Batterie.Et integréiert och d'Bootstrap Diode fir den High-Side Gate Drive fir vereinfacht Systemdesign.D'Hardware-Astellung an de Statusbericht liwweren einfach Konfiguratioun fir d'Ladeléisung opzestellen.
-
XC7A35T-1CSG325C 325-CSBGA (15×15) integréiert ...
-
Merrillchip New & Original op Lager Electr...
-
Neit Original Eegent Lager One Stop Elektronesch Comp ...
-
IRF4905STRLPBF New & Original Electronic C...
-
Neien Original 10M08SAE144I7G integréiert Circuit ...
-
INA240A2DR - Integréiert Circuits, Linear, ...