XC7A50T-1FTG256I New Original elektronesch Komponente Integréiert Circuits
Produit Attributer
| TYPE | BESCHREIWUNG |
| Kategorie | Integréiert Circuits (ICs) |
| Mfr | AMD Xilinx |
| Serie | Artix-7 |
| Package | Schacht |
| Produit Status | Aktiv |
| Zuel vun LABs / CLBs | 4075 |
| Zuel vun Logik Elementer / Zellen | 52160 |
| Total RAM Bits | 2764800 |
| Zuel vun ech / O | 170 |
| Spannung - Versuergung | 0,95 V ~ 1,05 V |
| Montéierung Typ | Surface Mount |
| Operatioun Temperatur | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Package / Fall | 256-LBGA |
| Fournisseur Apparat Package | 256-FTBGA (17×17) |
| Basis Produit Zuel | XC7A50 |
Rapport Produit Informatiounen Feeler
View Ähnlech
Dokumenter & Medien
| RESOURCE TYPE | LINK |
| Datenblätter | 7 Serie FPGA Iwwersiicht |
| Ëmwelt- Informatiounen | Xiliinx RoHS Cert |
| Ausgezeechent Produkt | USB104 A7 Artix-7 FPGA Entwécklung Verwaltungsrot |
Ëmwelt- & Export Klassifikatiounen
| ATRIBUTE | BESCHREIWUNG |
| RoHS Status | ROHS3 konform |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Stonnen) |
| REACH Status | REACH Onbeaflosst |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Integréiert Circuit
En integréierte Circuit oder monolithesche integréierte Circuit (och als IC, Chip oder Mikrochip bezeechent) ass e Set vuelektronesch Kreesleefop engem klenge flaach Stéck (oder "Chip") vunsemiconductorMaterial, normalerweisSilizium.Grouss Zuelenvun klengMOSFETs(Metall-Oxid-HalbleiterFeld-Effekt Transistoren) an e klengen Chip integréieren.Dëst resultéiert zu Circuiten déi Uerden vun der Gréisst méi kleng, méi séier a manner deier sinn wéi déi, déi aus diskret gebaut sinnelektronesch Komponenten.Den ICMasseproduktiounFäegkeet, Zouverlässegkeet, a Bausteng Approche firintegréiert Circuit Designhuet déi séier Adoptioun vu standardiséierte ICs gesuergt amplaz vun Designen déi diskret benotzentransistoren.ICs ginn elo a praktesch all elektronesch Ausrüstung benotzt an hunn d'Welt revolutionéiertelektronesch.Computeren,Handyenan anerdoheem Apparatersinn elo inextricable Deeler vun der Struktur vun modern Gesellschaften, méiglech duerch déi kleng Gréisst an niddreg Käschte vun ICs wéi modernComputer Prozessorenanmicrocontrollers.
Ganz grouss Integratioungouf praktesch gemaach duerch technologesch Fortschrëtter amMetall-Oxid-Silicium(MOS)semiconductor Apparat Fabrikatioun.Zënter hiren Urspronk an den 1960er hunn d'Gréisst, d'Geschwindegkeet an d'Kapazitéit vun de Chips enorm fortgeschratt, gedriwwen duerch technesch Fortschrëtter déi ëmmer méi MOS Transistoren op Chips vun der selwechter Gréisst passen - e modernen Chip ka vill Milliarden MOS Transistoren an engem Beräich d'Gréisst vun engem Mënsch Fangerneel.Dës Fortschrëtter, ongeféier folgendMoores Gesetz, maachen d'Computerchips vun haut Millioune Mol d'Kapazitéit an Dausende Mol d'Geschwindegkeet vun de Computerchips vun de fréien 1970er.
ICs hunn zwee Haaptvirdeeler iwwerdiskret Kreesleef: Käschten an Leeschtung.D'Käschte si niddereg well d'Chips, mat all hiren Komponenten, als Eenheet gedréckt ginnphotolithographieanstatt een Transistor gläichzäiteg gebaut ze ginn.Ausserdeem benotze verpackte ICs vill manner Material wéi diskret Circuiten.D'Performance ass héich well d'IC Komponenten séier schalten a relativ wéineg Kraaft verbrauchen wéinst hirer klenger Gréisst an der Proximitéit.Den Haaptnodeel vun ICs ass déi héich Käschte fir se ze designen an déi néideg ze fabrizéierenFotomasken.Dës héich initial Käschte bedeit datt ICs nëmme kommerziell liewensfäeg sinn wannhéich Produktiounsvolumenvirausgesot ginn.
Terminologie [änneren]
Anintegréiert Circuitass definéiert wéi:[1]
E Circuit, an deem all oder e puer vun de Circuitelementer intrennbar verbonne sinn an elektresch matenee verbonne sinn, sou datt et als ondeelbar ugesi gëtt fir Zwecker vum Bau a vum Handel.
Circuits, déi dës Definitioun treffen, kënne mat ville verschiddenen Technologien konstruéiert ginn, inklusivdënn Film Transistoren,décke Film Technologien, oderHybrid integréiert Kreesleef.Wéi och ëmmer, am allgemenge Gebrauchintegréiert Circuitass komm fir op déi eenzeg Stéck Circuitkonstruktioun ze referenzéieren ursprénglech bekannt als amonolithic integréiert Circuit, dacks op engem eenzege Stéck Silizium gebaut.[2][3]
Geschicht
E fréie Versuch fir verschidde Komponenten an engem Apparat ze kombinéieren (wéi modern ICs) war denLoewe 3NFVakuumröhre aus den 1920er Joren.Am Géigesaz zu ICs gouf et mam Zweck entwéckeltSteiervermeidung, wéi an Däitschland, Radio-Empfänger haten eng Tax, déi opgehuewe gouf jee no wéivill Röhrehalter e Radioempfänger hat.Et erlaabt Radioempfänger en eenzegen Röhrehalter ze hunn.
Fréi Konzepter vun engem integréierte Circuit ginn zréck op 1949, wéi den däitschen IngenieurWerner Jacobi[4](Siemens AG)[5]e Patent fir en integréierte Circuit-ähnlechen Hallefleitverstärkerapparat ofginn[6]weist fënneftransistorenop engem gemeinsame Substrat an enger Dräi-EtappVerstärkerArrangement.Jacobi verroden kleng a bëllegHörgeräterals typesch industriell Uwendunge vu sengem Patent.Eng direkt kommerziell Notzung vu sengem Patent gouf net gemellt.
En anere fréie Verteideger vum Konzept warGeoffrey Dummer(1909–2002), e Radarwëssenschaftler, dee fir deRoyal Radar Etablissementvun de BritenVerdeedegungsministère.Den Dummer huet d'Iddi dem Public um Symposium iwwer de Fortschrëtt an der Qualitéit vun Elektronesche Komponenten presentéiertWashington, DCde 7. Mee 1952.[7]Hien huet vill Symposien ëffentlech gemaach fir seng Iddien ze propagéieren an huet ouni Erfolleg probéiert esou e Circuit 1956 ze bauen. Tëscht 1953 an 1957,Sidney Darlingtonan Yasuo Tarui (Elektrotechnesch Laboratoire) proposéiert ähnlech Chip Designs wou verschidde Transistoren e gemeinsamt aktive Gebitt deelen kënnen, awer et war keenelektresch Isolatiounse vuneneen ze trennen.[4]
D'monolithic integréiert Circuit Chip war duerch d'Erfindungen vun der aktivéiertplanar ProzessvumJean Hoernianp-n Kräizung IsolatiounvumKurt Lehovec.Dem Hoerni seng Erfindung gouf op gebautMohamed M. Atallaseng Aarbecht iwwer Uewerflächepassivatioun, souwéi dem Fuller an Ditzenberger seng Aarbecht iwwer d'Diffusioun vu Bor- a Phosphor-Gëftstoffer a Silizium,Carl Froschan Lincoln Derick Aarbecht op Uewerfläch Schutz, anChih-Tang Sahseng Aarbecht op Diffusiounsmaskéierung vum Oxid.[8]
