bestellen_bg

Produiten

IRFP4321PBF Elektronesch Komponenten Deeler Integréiert Circuit IC Chips MCU IRFP4321PBF

kuerz Beschreiwung:


Produit Detailer

Produit Tags

Produit Attributer

TYPE BESCHREIWUNG
Kategorie Diskret Semiconductor Produkter

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Mfr Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Package Tube
Produit Status Aktiv
FET Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Aktuell - kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C 78A (Tc)
Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15,5 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 30 V
Input Kapazitéit (Ciss) (Max) @ Vds 4460 pF @ 25 V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 310 W (Tc)
Operatioun Temperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montéierung Typ Duerch Hole
Fournisseur Apparat Package TO-247AC
Package / Fall TO-247-3
Basis Produit Zuel IRFP4321

Dokumenter & Medien

RESOURCE TYPE LINK
Datenblätter Spezifikatioune vun IRFP4321PbF
Aner Zesummenhang Dokumenter IR Part Numbering System
Produit Training Moduler Héich Volt Integréiert Circuits (HVIC Gate Driver)
Ausgezeechent Produkt Daten Veraarbechtung Systemer

Ëmwelt- & Export Klassifikatiounen

ATRIBUTE BESCHREIWUNG
RoHS Status ROHS3 konform
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Onlimitéiert)
REACH Status REACH Onbeaflosst
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zousätzlech Ressourcen

ATRIBUTE BESCHREIWUNG
Aner Nimm SP001575756
Standard Package 25

En Transistor ass en Hallefleitgerät deen allgemeng a Verstärker oder elektronesch kontrolléiert Schalter benotzt gëtt.Transistoren sinn d'Basis Bausteng déi d'Operatioun vu Computeren, Handyen an all aner modern elektronesch Circuiten reguléieren.

Duerch hir séier Äntwertgeschwindegkeet an héich Genauegkeet kënne Transistoren fir eng grouss Varietéit vun digitalen an analoge Funktiounen benotzt ginn, dorënner Verstäerkung, Schalter, Spannungsregulator, Signalmodulatioun an Oszillator.Transistoren kënnen individuell oder an engem ganz klenge Gebitt verpackt ginn, deen 100 Milliounen oder méi Transistoren als Deel vun engem integréierte Circuit kann halen.

Am Verglach mam Elektronenröhr huet den Transistor vill Virdeeler:

1.Component huet kee Konsum

Egal wéi gutt de Rouer ass, wäert et lues a lues verschlechtert ginn wéinst Verännerungen an Kathodeatomen a chronescher Loftleckage.Aus technesche Grënn haten d'Transistoren dee selwechte Problem wéi se fir d'éischt gemaach goufen.Mat Fortschrëtter a Materialien a Verbesserungen a villen Aspekter daueren Transistoren typesch 100 bis 1.000 Mol méi laang wéi elektronesch Röhre.

2.Verbrauch ganz wéineg Kraaft

Et ass nëmmen een Zéngtel oder Zénger vun engem vun den Elektronenröhren.Et brauch net de Filament z'erhëtzen fir fräi Elektronen ze produzéieren wéi den Elektronenröhr.En Transistor Radio brauch nëmmen e puer dréchen Batterien fir sechs Méint am Joer ze lauschteren, wat schwéier ass fir Tube Radio ze maachen.

3.Nee brauch ze virhëtzen

Schafft soubal Dir et ausschalt.Zum Beispill, en Transistor Radio geet aus soubal et ageschalt ass, an en Transistor Fernseh stellt e Bild op soubal et ageschalt ass.Vakuum Tube Ausrüstung kann dat net maachen.Nom Stiwwel, waart eng Zäit fir den Toun ze héieren, kuckt d'Bild.Kloer, am Militär, Miessung, Opnam, etc., Transistoren si ganz avantagéis.

4.Strong an zouverlässeg

100 Mol méi zouverlässeg wéi den Elektronenröhr, Schockbeständegkeet, Schwéngungsresistenz, wat onvergläichbar mam Elektronenröhre ass.Zousätzlech ass d'Gréisst vum Transistor nëmmen een Zéngtel bis een Honnertstel vun der Gréisst vum Elektronenröhre, ganz wéineg Hëtztverëffentlechung, ka benotzt ginn fir kleng, komplex, zouverléisseg Circuiten ze designen.Och wann de Fabrikatiounsprozess vum Transistor präzis ass, ass de Prozess einfach, wat hëllefe fir d'Installatiounsdicht vun de Komponenten ze verbesseren.


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift äre Message hei a schéckt en un eis