Neien Original Integréiert Circuit BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip
BSZ040N06LS5
Infineon's OptiMOS ™ 5 Power MOSFETs Logik Niveau sinn héich gëeegent fir drahtlos Laden, Adapter an Telekom Uwendungen.D'niddereg Gateladung vun den Apparater (Q g) reduzéiert d'Schaltverloschter ouni d'Leedungsverloschter ze kompromittéieren.Déi verbessert Verdéngsungsfiguren erlaben Operatiounen op héije Schaltfrequenzen.Ausserdeem liwwert de Logikniveau Drive eng niddereg Paartdrüsenhalen Spannung (V GS (th)) erlaabt datt d'MOSFETs bei 5V an direkt vu Mikrokontroller ugedriwwe ginn.
Resumé vun Fonctiounen
Niddereg R DS (an) a klenge Pak
Niddereg Gate charge
Niddereg Ausgangsladung
Logik Niveau Kompatibilitéit
Virdeeler
Méi héich Kraaftdicht Designen
Méi héich Schaltfrequenz
Reduzéiert Deeler zielen iwwerall wou 5V Ëmgeréits verfügbar sinn
Direkt vu Mikrokontroller gedriwwen (lues Schalter)
System Käschten Reduktioun
Parameteren
| Parameteren | BSZ040N06LS5 |
| Budgetspräis €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pf |
| ID (@25°C) max | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Montéierung | SMD |
| Betriebstemperatur min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Package | PQFN 3.3 x 3.3 |
| Pin Zuel | 8 Pins |
| Polaritéit | N |
| QG (Typ @4.5V) | 18 nc |
| Qgd | 5,3 nc |
| RDS (an) (@4.5V LL) max | 5,6mΩ |
| RDS (an) (@4.5V) max | 5,6mΩ |
| RDS (an) (@10V) max | 4m qm |
| Rth max | 1,8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC Max | 1,8 K/W |
| VDS Max | 60 V |
| VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
