bestellen_bg

Neiegkeeten

Automotive IGBT Nofro boomt!IDM Bestellunge si voll bis 2023, a Kapazitéit ass knapp

Zousätzlech zu MCU an MPU ass de Mangel un Autoschips déi besuergt Kraaft IC, vun deenen IGBT nach ëmmer a kuerzer Versuergung ass, an de Liwwerzyklus vun internationalen IDM Hiersteller gouf op méi wéi 50 Wochen verlängert.Domesch IGBT Firmen verfollegen de Maarttrend no, an d'Produktiounskapazitéit ass knapp.

Ënnert der Explosioun vun Hëtzt, der Offer an Nofro vunIGBTsinn héich enk.

Automotive-Schouljoer IGBT ass de Kär Komponent vun neien Energie Gefier Motor controllers, Gefier Klimaanlagen, Opluedstatiounen an aner Ausrüstung.De Wäert vun Kraaft Hallefleitgeräter an nei Energie Gefierer ass méi wéi fënnef Mol dee vun traditionelle Brennstoff Gefierer.Ënnert hinnen, Konten IGBT fir ongeféier 37% vun de Käschte vun der elektronescher Kontroll System vun neien Energie Gefierer, sou ass et ee vun de meeschte Kär elektronesch Apparater am elektronesche Kontroll System.

Am Joer 2021 waren de Verkaf vun neien Energie Gefierer vu China 3,52 Milliounen Unitéiten, e Joer-op-Joer Erhéijung vun 158%;De Verkaf an der éischter Halschent vum 2022 waren 2,6 Milliounen Unitéiten, eng Joer-op-Joer Erhéijung vu bal 1,2 Mol.Et gëtt erwaart datt de Verkaf vun neien Energieautoen weiderhin ongeféier 5.5 Milliounen Unitéiten am Joer 2022 erreechen, e Joer-op-Joer Wuesstumsrate vu ronn 56%.Gedriwwen duerch de schnelle Wuesstum vun neien Energie Gefierer Produktioun a Verkaf, wiisst d'Nofro fir IGBT séier.

Wéi och ëmmer, d'Konzentratioun vun der Autosgrad IGBT Industrie ass extrem héich.Wéinst dem laange Verifizéierungszyklus vun IGBT Moduler an héich techneschen an Zouverlässegkeetsfuerderungen ass déi aktuell global Versuergung nach ëmmer haaptsächlech an IDM Hiersteller konzentréiert, dorënner Infineon, ON Semiconductor, SEMIKRON, Texas Instruments, STMicroelectronics, Mitsubishi Electric, etc. Tatsaach, puer IDM Fabriken ëffentlech an der Mëtt vum Joer uginn, an Uerder waren voll bis 2023 (et ass net ausgeschloss, datt e puer Clienten iwwer-Commande hunn kann).

Wat d'Liwwerzäit ugeet, ass déi aktuell Liwwerzäit vun auslännesche grousse Hiersteller allgemeng ongeféier 50 Wochen.Geméiss dem Future Electronics 'Q4 Maartbericht, IGBT, ass d'Liwwerzäit vum Infineon 39-50 Wochen, d'IXYS Liwwerzäit ass 50-54 Wochen, d'Liwwerzäit vum Microsemi ass 42-52 Wochen, an d'STMicroelectronics d'Liwwerzäit ass 47-52 Wochen.

Firwat de plötzleche Mangel u Gefieremometer IGBT?

Éischt vun all, ass d'Konstruktioun Period vun Produktioun Muecht laang (normalerweis ongeféier 2 Joer), an der Expansioun vun Produktioun Gesiichter Schwieregkeeten an Ausrüstung Akaaf, an et ass néideg eng héich Prime ze bezuelen Second-Hand Equipement ze kafen.Wann d'Versuergungskapazitéit vum IGBT um Maart vill méi grouss ass wéi d'Demande, wäert de Präis vum GBT séier falen.Infineon, Mitsubishi a Fujifilm stellen méi wéi aachtzeg Prozent vun der Weltproduktiounskapazitéit aus, an d'Nofro vum Maart ass e Schlësselfaktor dee se musse berücksichtegen.Zweetens sinn d'Ufuerderunge vum Gefierniveau relativ héich, wann se fäerdeg sinn, kënnen d'Produktspezifikatiounen net temporär ugepasst ginn, obwuel se all IGBT sinn, awer well se a verschiddenen Ënnerdeelunge sinn, sinn d'Ufuerderunge fir IGBT komplett anescht, an et gëtt keng Méiglechkeet vu Vermëschung, wat zu héije Käschte fir d'Erhéijung vun der Produktiounslinne resultéiert a kann net verdeelt ginn.

IGBT Firmen hunn e vollt Bestellungsvolumen, an d'Produktiounskapazitéit ass kuerz

Wéinst der laanger IGBT Leadzäite vun internationaler IDM, wenden d'Haus EV Start-up Automobilisten sech weider un lokal Fournisseuren.Als Resultat verfollegen vill chinesesch IGBT Hiersteller aktiv Kapazitéit Expansiounsprojeten, well se schonn eng grouss Zuel vun IGBT Bestellunge vun Automobilisten kritt hunn.

(1)Stär Semiconductor

Als IGBT Leader huet Star Semiconductor en Nettogewënn vun 590 Milliounen Yuan an den éischten dräi Véierel vun dësem Joer erreecht, e Joer-op-Joer Erhéijung vun 1,21 Mol, de Wuesstumsrate iwwerschratt d'Betribsakommes, an de Verkafs Bruttomargin erreecht 41,07 %, eng Erhéijung vum Véierel virdrun.

Beim Drëtte Véierel Resultater Briefing de 5. Dezember hunn d'Exekutive vun der Firma virgestallt datt d'Haaptdreiungskraaft fir d'Akommeswuesstem an de leschte Véierel aus der kontinuéierlecher a séierer Erhéijung vun de Produkter vun der Firma an nei Energiefahrzeugen, Photovoltaik, Energielagerung, Wandkraaft an aner Industrien, an déi kontinuéierlech Erhéijung vum Maartundeel;Mat der Verëffentlechung vum Skalaeffekt, Produktstrukturoptimiséierung, a Verbesserung vun der Produktioun an der Operatiounseffizienz, geet de Brutto Gewënnmarge vun der Firma weider.

Aus der Perspektiv vun der Einnahmestruktur, am Januar ~ September, Star Semiconductor d'Recetten aus der neier Energieindustrie (inklusiv nei Energiefahrzeugen, nei Energiekraaftproduktioun, an Energielagerung) ausgemaach fir méi wéi d'Halschent, ginn d'Haaptdreikraft fir d'Performance vun der Firma. Wuesstem.Ënnert hinnen sinn d'Firma Automotive-Schouljoer Semiconductor Moduler fir vill Jore vill an Gewalt Mainstream nei Energie Gefierer Hiersteller benotzt, a säi Maartundeel ass eropgaang, an et ass den Haaptlieferant vun Automotive-Schouljoer Kraaft Halbleiter Moduler fir Gewalt nei ginn. Energie Gefierer.

Laut fréiere Verëffentlechunge sinn d'Star Semiconductor Automotive-Grad IGBT Moduler fir Haaptmotorcontroller weider eropgaang, mat insgesamt méi wéi 500,000 nei Energie Gefierer an der éischter Halschent vum Joer, an et gëtt erwaart datt d'Zuel vun de Gefierer weider wäert eropgoen. an der zweeter Halschent vum Joer, vun deenen méi wéi 200.000 A-Klass a méi Modeller installéiert ginn.

(2)Hongwei Technologie

Den IGBT-Hersteller Hongwei Technology profitéiert och vun der Entwécklung vum neien Energiemaart, an d'Firma erreecht en Nettogewënn vun 61,25 Milliounen Yuan an den éischten dräi Véierel vun dësem Joer, e Joer-op-Joer Erhéijung vun ongeféier 30%;Ënnert hinnen huet den drëtten Trimester 29,01 Millioune Yuan erreecht, eng Joer-op-Joer Erhéijung vu bal verduebelt, an de Brutto Gewënnmarge vum Verkaf war 21,77%, ongeféier d'Halschent vum Star Semiconductor.

Wat den Ënnerscheed am Bruttogewënn Marge ugeet, hunn d'Exekutive vu Macro Micro Technology an enger institutioneller Ëmfro am November drop higewisen, datt d'Bruttoprofitmargin vun der Firma fir dat ganzt Joer 2022 um selwechten Niveau ass wéi 2021, an et gëtt nach ëmmer e gewëssen Ënnerscheed. mat Firmen an der selwechter Industrie, haaptsächlech betraff vun der Kloteren vun Produktioun Linnen.

D'Firma huet vill Bestellunge kritt, awer wéinst dem Mangel u Upstream Kär Rohmaterialien an der Firma hir nei dobäi Kapazitéit vum zouenen Test ass nach ëmmer an der Kloterstadium, kann et de Moment net voll un der Maartfuerderung entspriechen.D'Exekutive vu Macro Micro Technology hunn agefouert datt d'Firma, wéinst der wesentlecher Erhéijung vun den Einnahmen vun der Gesellschaft a photovoltaeschen elektresche Gefierer an aner Felder, aktiv op d'Bedierfnesser vun de Downstream Clienten reagéiert, an d'Verméigen Investitioun ass am Viraus, während d'Abschiebungskäschte staark eropgeet. .Zousätzlech ass déi ganz Produktiounslinn vun der Expansioun nach ëmmer an der Kloterstadium, an d'Kapazitéitnutzungsquote muss verbessert ginn.An Zukunft, mat der Upassung vun der Firma Downstream Uwendungsstruktur, der Verbesserung vun der Kapazitéitsnotzung an dem Entstoe vum Skala Effekt, gëtt erwaart d'Brutto Gewënnmarge vun der Firma ze verbesseren.

(3)Silan Mikro

Wéi anIDM Modus semiconductor, D'Haaptprodukter vum Silan Micro enthalen integréiert Kreesleef, Semiconductor diskret Geräter a LED Produkter.An den éischten dräi Véierel vun dësem Joer huet d'Firma en Nettogewënn vun 774 Milliounen Yuan erreecht, e Joer-op-Joer Erhéijung vun 6,43%, vun deem, betraff vun der Verlängerung vun der Nofro am Downstream Konsumentelektronik Maart, Kraaftbeschränkungen, etc., D'Firma Apparat Chip an LED Bestellungen erofgaang, an d'Nettogewënn vun der Firma am drëtten Trimester ass ëm ongeféier 40% Joer-op-Joer gefall.

An enger rezenter institutioneller Ëmfro, hunn d'Silan Micro-Exekutoren virausgesot datt d'Recetten vun der Gesellschaft am véierte Quartal stänneg eropgeet, an d'Automotive nei Energieprodukter hu graduell d'Konditioune fir eng grouss Zuel vu Sendungen erfëllt;De véierte Quartal vum Wäisswuerenmaart wäert d'Spëtzesaison sinn, déi op déi éischt Halschent vum nächste Joer verlängert ka ginn;De véierte Quartal vum Wäisswuerenmaart wäert d'Spëtzesaison sinn, déi op déi éischt Halschent vum nächste Joer verlängert ka ginn;

Am IGBT Maart sinn dem Silan Micro seng IGBT Single Tubes a Moduler vill am industrielle Beräich benotzt ginn an op nei Energie an Autoen erweidert ginn.Laut Berichter ass d'Firma 12-Zoll IGBT monatlecht Produktiounskapazitéit 15.000 Stécker, awer beaflosst vum Mangel u Substrater, ass den aktuellen Standard nach net erreecht, a gëtt am Moment geléist, plus d'Firma 8-Zoll Linn a 6- Zoll Linn hunn IGBT Produktiounskapazitéit, sou datt den Undeel vun IGBT-Zesummenhang Produktrecetten staark erhéicht gouf, a weider Wuesstum gëtt an Zukunft erwaart.

Den Haaptproblem, dee mir elo stellen, ass datt et e Mangel u Substrat ass.Mir an d'Upstream Fournisseuren förderen aktiv d'Léisung vun der FRD (schnell Erhuelung Diode), wat e grousse Problem fir eis am zweeten Trimester war, a léisen et elo graduell, sot e Senior Executive vu Shlan Micro.

(4)Anerer

Zousätzlech zu den uewe genannten Entreprisen, huet d'IGBT Geschäft vu Hallefleitfirmen wéi BYD Semiconductor, Times Electric, China Resources Micro, a Xinjieneng eng grouss Verbesserung erreecht, an Automotive-Grad IGBT Produkter hunn och grouss Duerchbréch um Maart erreecht.

China Resources Micro sot an der Ëmfro vun der Empfangsagentur datt d'Produktiounskapazitéit vun der IGBT8-Zoll Linn erweidert, an d'Chongqing 12-Zoll Produktiounslinn huet och d'Kapazitéitsplanung vun IGBT Produkter.Dëst Joer gëtt IGBT erwaart 400 Millioune Verkaf z'erreechen, d'nächst Joer fir de Verkaf vun IGBT Produkter an der Automobilindustrie Kontroll vun neier Energie an aner Felder vum Verkaf ze verduebelen fir weider ze erhéijen, am Moment fir 85% auszemaachen.

Times Electric huet och viru kuerzem ugekënnegt datt et wëlles d'Kapital vun Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co., Ltd. ëm 2,46 Milliarden Yuan ze erhéijen, an d'Kapitalerhéijung gëtt fir CRRC Times Semiconductor benotzt fir en Deel vun de Verméigen vun Autoskomponenten ze kafen, déi Bauprojeten ënnerstëtzen. (inklusiv IGBT Projeten) vun der Firma.

IGBT Producteure gitt der Bonus Period, "Spoiler" Quell vun endlos

D'IGBT Dividendperiod ass fir d'éischt erschéngt, wat vill nei Layouten ugezunn huet.

(1)Xinpengwei

Viru kuerzem huet Xinpengwei an enger institutioneller Ëmfro gesot datt d'Firma 2022 fixe Spendenaktiounsprojet - neien Energie Gefier Chip Projet haaptsächlech High-Volt Power Supply Control Chips, High-Voltage Halb-Bréck Driver Chips, High-Volt Isolation Driver Chips, High-Voltage Isolation Driver Chips entwéckelen Spannung Hëllef Quell Chips, an intelligent IGBT an SiC Apparater.

D'Haaptprodukter vum Xinpeng Micro sinn Power Management Chips PMIC, AC-DC, DC-DC, Gate Driver an ënnerstëtzend Kraaftapparater, an déi aktuell effektiv Power Management Chips sinn am Ganzen méi wéi 1300 Deelnummeren.

Xinpengwei sot, datt an den nächsten dräi Joer, wäert d'Firma méi fortgeschratt integréiert Muecht semiconductor Produite fir den industrielle Kontroll Maart lancéiere baséiert op der voll aktualiséiert Smart-SJ, Smart-SGT, Smart-Trench, Smart-GaN nei intelligent Power Chip Technologie Plattform .

(2) Geil

Am Oktober 2021 gouf gemellt datt dem Geely säin IGBT ënner Entwécklung ass.Viru kuerzem huet d'Geely's Offerplattform e "Bidding Announcement for the Supervision Project of the First Phase of Jinneng Microelectronics Factory Transformation Project" verëffentlecht. D'Ukënnegung huet drop higewisen datt Geely an d'Selbstgemaachte Team vun IGBT Verpackungen ugeschloss ass.

Laut der Ukënnegung ass déi éischt Phase vum Fabriktransformatiounsprojet vun Jinneng Microelectronics ongeféier 5.000 Quadratmeter, an déi éischt Phase vun der Planz mat engem jährlechen Output vun 600.000 Sets vun IGBT Power Moduler gëtt gebaut, haaptsächlech 3.000 Quadratmeter vun 10.000 abegraff. Quadratmeter propper Zëmmeren a Laboratoiren, 1.000 Quadratmeter Kraaftstatiounen, an 1.000 Quadratmeter Lager- a Büroraum.

Et gëtt gemellt, datt d'elektresch fueren Systemer vunGeely New Energy(inklusiv Geely, Lynk & Co, Zeekr a Ruilan), d'Joint Venture Mark Smart Motor a Polestar benotze bal all IGBT Kraaftmoduler.Extrem Krypton a Smart Motor wäerte kloer 400V SiC benotzen.


Post Zäit: Dez-12-2022