Aféierung an de Wafer Back Grinding Prozess
1. Den Zweck vun Back Grinding
Am Prozess fir Hallefleit aus Waferen ze maachen, ännert d'Erscheinung vu Wafers stänneg.Als éischt, am Wafer Fabrikatiounsprozess, sinn d'Kante an d'Uewerfläch vum Wafer poléiert, e Prozess deen normalerweis béid Säiten vum Wafer schleift.Nom Enn vum Front-End-Prozess kënnt Dir de Réckschleifprozess starten, deen nëmmen de Réck vun der Wafer schleift, wat d'chemesch Kontaminatioun am Front-End-Prozess ewechhuelen kann an d'Dicke vum Chip reduzéieren, wat ganz gëeegent ass. fir d'Produktioun vun dënnen Chips op IC Kaarten oder mobilen Apparater montéiert.Zousätzlech huet dëse Prozess d'Virdeeler fir d'Resistenz ze reduzéieren, d'Kraaftverbrauch ze reduzéieren, d'thermesch Konduktivitéit ze erhéijen an d'Hëtzt séier op de Réck vun der Wafer ze dissipéieren.Awer gläichzäiteg, well de Wafer dënn ass, ass et einfach ze briechen oder duerch externe Kräften ze kräischen, wat d'Veraarbechtungsschrëtt méi schwéier mécht.
2. Back Grinding (Back Grinding) detailléierte Prozess
Réck Schleifen kann an déi folgend dräi Schrëtt ënnerdeelt ginn: éischtens, Paste Schutzband Lamination op der wafer;Zweetens, de Réck vun der Wafer schleifen;Drëttens, ier Dir den Chip vum Wafer trennt, muss de Wafer op der Wafer Mounting plazéiert ginn, déi de Band schützt.De Wafer Patch Prozess ass d'Virbereedungsstadium fir d'Trennung vumchip(Chip schneiden) an dofir och am Schneidprozess mat abegraff ginn.An de leschte Joeren, wéi Chips méi dënn ginn, kann d'Prozesssequenz och änneren, an d'Prozess Schrëtt si méi raffinéiert ginn.
3. Tape Lamination Prozess fir wafer Schutz
Den éischte Schrëtt am Réckschleifen ass d'Beschichtung.Dëst ass e Beschichtungsprozess deen de Band op d'Front vum Wafer hält.Beim Schleifen um Réck verbreeden sech d'Siliciumverbindungen ronderëm, an de Wafer kann och knacken oder kräischen wéinst externe Kräfte während dësem Prozess, an wat méi grouss d'Waferfläch ass, wat méi ufälleg fir dëst Phänomen.Dofir, virum Schleifen vum Réck, gëtt en dënnen Ultra Violet (UV) bloe Film befestegt fir de Wafer ze schützen.
Wann Dir de Film applizéiert, fir keng Spalt oder Loftblasen tëscht dem Wafer an dem Band ze maachen, ass et néideg fir d'Klebkraaft ze erhéijen.Wéi och ëmmer, nom Schleifen op der Réck, sollt de Band op der Wafer duerch ultraviolet Liicht bestraht ginn fir d'Klebkraaft ze reduzéieren.Nom Sträifen däerf de Bandreschter net op der Wafer Uewerfläch bleiwen.Heiansdo gëtt de Prozess eng schwaach Haftung benotzen an ufälleg fir Bubble Net-ultraviolet reduzéieren Membran Behandlung, obwuel vill Nodeeler, awer bëlleg.Zousätzlech ginn och Bump Filmer benotzt, déi duebel sou déck wéi UV Reduktiounsmembranen sinn, a sollen an Zukunft mat méi héijer Frequenz benotzt ginn.
4. D'Waferdicke ass invers proportional zum Chip Package
Waferdicke nom Réckschleifen gëtt allgemeng vun 800-700 µm op 80-70 µm reduzéiert.Wafers, déi bis zu engem Zéngtel verdënntem sinn, kënne véier bis sechs Schichten stackelen.Viru kuerzem kënne Wafere souguer op ongeféier 20 Millimeter duerch en Zwee-Schleifprozess verdünnt ginn, an doduerch op 16 bis 32 Schichten stackelen, eng Multi-Layer Halbleiterstruktur bekannt als Multi-Chip Package (MCP).An dësem Fall, trotz der Verwäertung vu méi Schichten, däerf d'Gesamthéicht vum fäerdege Package net eng gewësse Dicke iwwerschreiden, dofir sinn dënn Schleifwafer ëmmer verfollegt.Wat méi dënn de Wafer ass, wat méi Mängel et ginn, a wat méi schwéier den nächste Prozess ass.Dofir ass fortgeschratt Technologie gebraucht fir dëse Problem ze verbesseren.
5. Ännerung vun zréck Schleifen Method
Andeems Dir Wafere sou dënn wéi méiglech schneiden fir d'Aschränkungen vun de Veraarbechtungstechniken ze iwwerwannen, geet d'Récksäit Schleiftechnologie weider ze evoluéieren.Fir allgemeng Wafere mat enger Dicke vu 50 oder méi, ëmfaasst Réckschleifen dräi Schrëtt: e Rough Grinding an dann e Fine Grinding, wou de Wafer no zwou Schleifsessiounen geschnidden a poléiert gëtt.Zu dësem Zäitpunkt, ähnlech wéi Chemical Mechanical Polishing (CMP), Slurry an Deionized Water ginn normalerweis tëscht dem Polierpad an der Wafer applizéiert.Dës Polieraarbecht kann d'Reibung tëscht dem Wafer an dem Polierpad reduzéieren an d'Uewerfläch hell maachen.Wann de Wafer méi déck ass, kann Super Fine Grinding benotzt ginn, awer wat méi dënn de Wafer ass, dest méi poléieren ass erfuerderlech.
Wann de Wafer méi dënn gëtt, ass et ufälleg fir extern Mängel während dem Schneidprozess.Dofir, wann d'Dicke vum Wafer 50 µm oder manner ass, kann d'Prozesssequenz geännert ginn.Zu dëser Zäit gëtt d'DBG (Dicing Before Grinding) Method benotzt, dat heescht, de Wafer gëtt an der Halschent geschnidden virum éischte Schleifen.Den Chip ass sécher vun der Wafer getrennt an der Reiefolleg vu Wierfel, Schleifen a Schnëtt.Zousätzlech ginn et speziell Schleifmethoden, déi eng staark Glasplack benotzen fir ze verhënneren datt de Wafer briechen.
Mat der wuessender Nofro fir Integratioun an der Miniaturiséierung vun elektreschen Apparater, soll d'Récksäit Schleiftechnologie net nëmmen seng Aschränkungen iwwerwannen, awer och weider entwéckelen.Zur selwechter Zäit ass et net nëmmen néideg fir de Defektproblem vun der Wafer ze léisen, awer och fir nei Probleemer virzebereeden, déi am zukünftege Prozess entstoe kënnen.Fir dës Problemer ze léisen, kann et néideg sinnschaltde Prozess Sequenz, oder aféieren chemesch Ätzen Technologie applizéiert op desemiconductorFront-End Prozess, a komplett nei Veraarbechtungsmethoden entwéckelen.Fir déi inherent Mängel vu groussflächeg Waferen ze léisen, gi verschidde Schleifmethoden exploréiert.Zousätzlech gëtt d'Fuerschung gemaach wéi een de Siliziumschlacke, deen nom Schleifen vun de Wafere produzéiert gëtt, recycléiert.
Post Zäit: Jul-14-2023