bestellen_bg

Produiten

  • Zitat BOM Lëscht IC IDW30C65D2 Integréiert Circuit Mat Héich Qualitéit

    Zitat BOM Lëscht IC IDW30C65D2 Integréiert Circuit Mat Héich Qualitéit

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Diodes – Rectifiers – Arrays Mfr Infineon Technologies Series Rapid 2 Package Tube Product Status Active Diode Configuration 1 Pair Common Cathode Diode Type Standard Voltage – DC Reverse (Vr) (Max) 650 V Rectified – (Moyenne) Io) (pro Diode) 15A Spannung – Forward (Vf) (Max) @ Wann 2,2 V @ 15 A Geschwindegkeet Schnell Erhuelung =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recov...
  • Original nei BSZ100 Transistor PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Integréiert Circuit IC Chip op Lager

    Original nei BSZ100 Transistor PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Integréiert Circuit IC Chip op Lager

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 60 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V...
  • BSZ060NE2LS IC Chip Neien Original Integréiert Circuit mat héijer Qualitéit um beschte Präis

    BSZ060NE2LS IC Chip Neien Original Integréiert Circuit mat héijer Qualitéit um beschte Präis

    Produkt Attributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor ProdukterTransistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Volt (Vdss) 25 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 40A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @...
  • (STOCK) BSS138NH6327 nei & original elektronesch Komponente waarm Produit

    (STOCK) BSS138NH6327 nei & original elektronesch Komponente waarm Produit

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren - FETs, MOSFETs - Single Mfr Infineon Technologies Serie SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 60 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA (Ta) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 230mA...
  • Original Nei Op Lager MOSFET Transistor Diode Thyristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Elektronesch Komponent

    Original Nei Op Lager MOSFET Transistor Diode Thyristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Elektronesch Komponent

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren - FETs, MOSFETs - Single Mfr Infineon Technologies Serie SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 600 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @120mA...
  • Fuschneie Original MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI Mat Héich Qualitéit Um beschte Präis

    Fuschneie Original MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI Mat Héich Qualitéit Um beschte Präis

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 30 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8m...
  • Neien An Original Op Lager Integréiert Circuit BSC160N10NS3G Ic Chip Mat Héich Qualitéit

    Neien An Original Op Lager Integréiert Circuit BSC160N10NS3G Ic Chip Mat Héich Qualitéit

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 100 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 42A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOh...
  • Neien an originelle BSC100N06LS3G Integréiert Circuit Mat Qualitéit

    Neien an originelle BSC100N06LS3G Integréiert Circuit Mat Qualitéit

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 60 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 50A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOh...
  • BSC070N10NS3G Ic Chip Am Beschte Präis Original Elektronesch Komponent Mat Héich Qualitéit

    BSC070N10NS3G Ic Chip Am Beschte Präis Original Elektronesch Komponent Mat Héich Qualitéit

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 100 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V...
  • BSC060N10NS3G Neien an originelle Integréierten Circuit Ic Chip BSC060N10NS3G

    BSC060N10NS3G Neien an originelle Integréierten Circuit Ic Chip BSC060N10NS3G

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 100 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.9A (Ta), 90A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOh...
  • Nei an originell Integréiert Circuit Hot Sale Elektronesch Komponenten IC Chip BSC016N06NS

    Nei an originell Integréiert Circuit Hot Sale Elektronesch Komponenten IC Chip BSC016N06NS

    Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 60 V Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta), 100A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOh...
  • BFS481H6327 Integréiert Circuits Aktuell Regulatioun/Management Analog Multiplikatore Dividers

    BFS481H6327 Integréiert Circuits Aktuell Regulatioun/Management Analog Multiplikatore Dividers

    Produkt Attributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – Bipolar (BJT) – RF Mfr Infineon Technologies Series - Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv Transistor Typ 2 NPN (Dual) Volt - Collector Emitter Decompte (Max) 12V Frequenz - Iwwergang 8GHz Kaméidi Figur (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewënn 20dB Kraaft - Max 175mW DC Stroumverstärkung (hFE) (Min) ...