-
ONEHONG Neien an originelle Integréierte Circuit waarm Verkaf elektronesch Komponenten Shenzhen IC Chip BSC016N06NS
Produkt Attributer TYPE DESKRIPTIOUN Kategorie Diskret Semiconductor Produkter href=”https://www.digikey.com/en/products/filter/transistors-fets-mosfets-single/278″ Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metalloxid) Drain to Source Volt (Vdss) 60 V Stroum - Kontinuéierlech Drain (Id) @ 25°C 30... -
BFS481H6327 integréiert Kreesleef Aktuell Regulatioun / Gestioun Analog Multiplikatore Dividers
Produkt Attributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – Bipolar (BJT) – RF Mfr Infineon Technologies Series - Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv Transistor Typ 2 NPN (Dual) Volt - Collector Emitter Decompte (Max) 12V Frequenz - Iwwergang 8GHz Kaméidi Figur (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewënn 20dB Kraaft - Max 175mW DC Stroumverstärkung (hFE) (Min) ... -
AQX TPA3130D2DAPR Neien an originelle integréierte Circuit IC Chip TPA3130D2DAPR
Produit Attributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Integréiert Kreesleef (ICs) Embedded FPGAs (Feld Programméierbar Gate Array) Mfr AMD Xilinx Serie Spartan®-6 LX Package Schacht Produkt Status Aktiv Zuel vun LABs / CLBs 7911 Zuel vu Logik Elementer / Zellen 101261 Total Zuel 9RAM Bit 76 Total Zuel 3RAM 769 vun I/O 326 Spannung – Versuergung 1.14V ~ 1.26V Montagetyp Surface Mount Operatiounstemperatur 0°C ~ 85°C (TJ) Package / Case 484-BBGA Supplier Gerät Package 484-FBGA (23×23) ... -
IRF9540NSTRLPBF nei an originell Integréiert Circuits Elektronesch Komponenten
Produkt Attributer TYPE DESKRIPTIOUN Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 100 V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 14A, ... -
AQX IRF7416TRPBF Neien an originelle integréierte Circuit IC Chip IRF7416TRPBF
Produkt Attributer TYPE DESKRIPTIOUN Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 30 V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @5.6A, 1... -
IPD068P03L3G nei originell Elektronesch Komponenten IC Chip MCU BOM Service op Lager IPD068P03L3G
Produktattributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren - FETs, MOSFETs - Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiv FET Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) ) Drain to Source Volt (Vdss) 30 V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 70A, ... -
IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Neien Elektronesche Komponent
IPD042P03L3 G P-Kanal Verbesserungsmodus Field-Effect Transistor (FET), -30 V, D-PAK Infineon seng héich innovativ Opti MOS ™ Famillen enthalen p-Channel Power MOSFETs.Dës Produkter entspriechen konsequent déi héchst Qualitéits- a Leeschtungsfuerderungen a Schlësselspesifikatioune fir Kraaftsystemdesign wéi On-State Resistenz a Figur vu Verdéngschter Charakteristiken.Zesummefaassung vun de Features Verbesserungsmodus Logikniveau Avalanche bewäert Schnellschalter Dv/dt bewäert Pb-fräi Bläi-Platéierung RoHS-kompatibel, Halogenfräi Q ... -
Neien Original Integréiert Circuit BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip
BSZ040N06LS5 Infineon's OptiMOS ™ 5 Power MOSFETs Logikniveau sinn héich gëeegent fir drahtlos Laden, Adapter an Telekomapplikatiounen.D'niddereg Gateladung vun den Apparater (Q g) reduzéiert d'Schaltverloschter ouni d'Leedungsverloschter ze kompromittéieren.Déi verbessert Verdéngsungsfiguren erlaben Operatiounen op héije Schaltfrequenzen.Ausserdeem liwwert de Logikniveau Drive eng niddereg Paartschwellspannung (V GS(th)) wat et erlaabt datt d'MOSFETs bei 5V an direkt vu Mikrokontroller ugedriwwe ginn.Resumé vun ... -
Merrill Chip Neien & Original op Lager elektronesch Komponenten Integréiert Circuit IC IRFB4110PBF
Produkt Attributer TYPE BESCHREIWUNG Kategorie Diskret Semiconductor Produkter Transistoren – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tube Produktstatus Aktiv FET Typ N-Kanal Technologie MOSFET (Metaloxid) Drain to Source Voltage (Vdss) 100 Continuous V Current (Id) @ 25°C 120A (Tc) Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Cha... -
BOM Zitat Elektronesch Komponenten Driver IC Chip IR2103STRPBF
Produkt Attributer TYPE DESKRIPTIOUN Kategorie Integrated Circuits (ICs) Power Management (PMIC) href=”https://www.digikey.sg/en/products/filter/gate-drivers/730″ Gate Drivers Mfr Infineon Technologies Series - Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Active Driven Configuration Half-Bridge Channel Type Onofhängeg Zuel vun de Chauffeuren 2 Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET Volt - Versuergung 10V ~ 20V Logik Volt - VIL, VIH .. . -
ICL5102 New an Original Integréiert Circuit IC Chip Memory Electronic Moduler Komponente
Mat ICL5102 Infineon bitt en héich integréierte Combo Controller IC mat engem universellen Input vu 70V bis 325V, wat d'Fabrikanten erlaabt global Designen ze realiséieren, d'Käschte fir d'Produktvariatioun an d'Lager niddereg ze halen.Héchst Effizienz vu bis zu 94 Prozent duerch Resonanztopologie, en THD Faktor manner wéi 3,5 Prozent an e High-Power Faktor vu méi wéi 0,95 erlaben méi Lumenoutput a manner thermesch Belaaschtung, wat kosteneffektiv Designen erméiglechen an d'Käschte fir LEDs an Heizkierper behalen niddereg.Dank dem héijen Int ... -
ESD101B102ELE6327 Integréiert Circuit Elektronik Supplier Nei an Original op Lager Bom Service original
Produkt Spezifikatioune Cd - Diode Kapazitéit 0,2 pF Spannspannung 30 V Ipp - Peak Puls Current 2 A Maximal Operatiounstemperatur + 125 C Minimum Operatiounstemperatur - 55 C Zuel vun de Kanäl 1 Kanal Package / Fall TSSLP-2 Polaritéit Bidirektional Pppm - Peak Puls Power Dissipation 30 W Produkttyp TVS Dioden Terminatiounsstil SMD/SMT Vesd - Spannung ESD Loftgap 14 kV Vesd - Spannung ESD Kontakt 12 kV Aarbechtsspannung 5.5 V Beschreiwungen ESD Ënnerdrécker / TVS...
