bestellen_bg

Produiten

TO-252 IPD33CN10NG Mat Héich Qualitéit Chip Transistor New & Original Präis

kuerz Beschreiwung:


Produit Detailer

Produit Tags

Produit Attributer

TYPE BESCHREIWUNG
Kategorie Diskret Semiconductor Produkter

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Mfr Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Package Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

Produit Status Aktiv
FET Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Aktuell - kontinuéierlech Drain (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)
Drive Volt (Max Rds On, Min Rds On) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 29µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Input Kapazitéit (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 50 V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 58W (Tc)
Operatioun Temperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montéierung Typ Surface Mount
Fournisseur Apparat Package PG-TO252-3
Package / Fall TO-252-3, DPak (2 Virsprong + Tab), SC-63
Basis Produit Zuel IPD33CN10 Präis

Rapport Produit Informatiounen Feeler

View Ähnlech

Dokumenter & Medien

RESOURCE TYPE LINK
Datenblätter IPx3xCN10N G
Aner Zesummenhang Dokumenter Part Number Guide
Ausgezeechent Produkt Daten Veraarbechtung Systemer
HTML Datasheet IPx3xCN10N G
Simulatioun Modeller MOSFET OptiMOS™ 100V N-Kanal Gewierzmodell

Ëmwelt- & Export Klassifikatiounen

ATRIBUTE BESCHREIWUNG
RoHS Status ROHS3 konform
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Onlimitéiert)
REACH Status REACH Onbeaflosst
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zousätzlech Ressourcen

ATRIBUTE BESCHREIWUNG
Aner Nimm IPD33CN10NGATMA1-ND Ubidder

Spezifikatioune vun IPD33CN10NGATMA1CT

Spezifikatioune vun IPD33CN10NGATMA1TR

SP001127812

Spezifikatioune vun IPD33CN10NGATMA1DKR

Standard Package 2.500

En Transistor ass en Hallefleitgerät deen allgemeng a Verstärker oder elektronesch kontrolléiert Schalter benotzt gëtt.Transistoren sinn d'Basis Bausteng déi d'Operatioun vu Computeren, Handyen an all aner modern elektronesch Circuiten reguléieren.

Duerch hir séier Äntwertgeschwindegkeet an héich Genauegkeet kënne Transistoren fir eng grouss Varietéit vun digitalen an analoge Funktiounen benotzt ginn, dorënner Verstäerkung, Schalter, Spannungsregulator, Signalmodulatioun an Oszillator.Transistoren kënnen individuell oder an engem ganz klenge Gebitt verpackt ginn, deen 100 Milliounen oder méi Transistoren als Deel vun engem integréierte Circuit kann halen.

Am Verglach mam Elektronenröhr huet den Transistor vill Virdeeler:

Komponent huet kee Konsum

Egal wéi gutt de Rouer ass, wäert et lues a lues verschlechtert ginn wéinst Verännerungen an Kathodeatomen a chronescher Loftleckage.Aus technesche Grënn haten d'Transistoren dee selwechte Problem wéi se fir d'éischt gemaach goufen.Mat Fortschrëtter a Materialien a Verbesserungen a villen Aspekter daueren Transistoren typesch 100 bis 1.000 Mol méi laang wéi elektronesch Röhre.

Konsuméiere ganz wéineg Kraaft

Et ass nëmmen een Zéngtel oder Zénger vun engem vun den Elektronenröhren.Et brauch net de Filament z'erhëtzen fir fräi Elektronen ze produzéieren wéi den Elektronenröhr.En Transistor Radio brauch nëmmen e puer dréchen Batterien fir sechs Méint am Joer ze lauschteren, wat schwéier ass fir Tube Radio ze maachen.

Net néideg ze virhëtzen

Schafft soubal Dir et ausschalt.Zum Beispill, en Transistor Radio geet aus soubal et ageschalt ass, an en Transistor Fernseh stellt e Bild op soubal et ageschalt ass.Vakuum Tube Ausrüstung kann dat net maachen.Nom Stiwwel, waart eng Zäit fir den Toun ze héieren, kuckt d'Bild.Kloer, am Militär, Miessung, Opnam, etc., Transistoren si ganz avantagéis.

Staark an zouverlässeg

100 Mol méi zouverlässeg wéi den Elektronenröhr, Schockbeständegkeet, Schwéngungsresistenz, wat onvergläichbar mam Elektronenröhre ass.Zousätzlech ass d'Gréisst vum Transistor nëmmen een Zéngtel bis een Honnertstel vun der Gréisst vum Elektronenröhre, ganz wéineg Hëtztverëffentlechung, ka benotzt ginn fir kleng, komplex, zouverléisseg Circuiten ze designen.Och wann de Fabrikatiounsprozess vum Transistor präzis ass, ass de Prozess einfach, wat hëllefe fir d'Installatiounsdicht vun de Komponenten ze verbesseren.


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift äre Message hei a schéckt en un eis